Intrinsic anomalous valley Hall effect in single-layer N b3 I8
发布时间：2023-10-15 点击数：
所属单位：物理学院
论文名称：Intrinsic anomalous valley Hall effect in single-layer N b3 I8
发表刊物：Physical review B
关键字：Energy gap;Magnetic semiconductors;Niobium compounds;Polarization
第一作者：彭瑞
论文编号：1395293403519913985
卷号：102
期号：3
字数：5000
是否译文：否
发表时间：2020-07