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Spontaneous Valley Polarization and Electrical Control of Valley Physics in Single-Layer TcIrGe2S6

发布时间：2023-10-18 点击数：

所属单位：物理学院

论文名称：Spontaneous Valley Polarization and Electrical Control of Valley Physics in Single-Layer TcIrGe2S6

发表刊物：J. Phys. Chem. Lett.

第一作者：赵江雨

论文编号：4616BAB959B7416080EF7F769CAD8E50

期号：13

页面范围：8749

字数：5000

是否译文：否

发表时间：2022-09

上一条： Two-dimensional magnetoelectric multiferroics in a MnSTe/In2Se3 heterobilayer with ferroelectrically controllable skyrmions.

下一条： Main-group metal elements as promising active centers for single-atom catalyst toward nitric oxide reduction reaction

黄柏标 (教授)