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Engineering Gapless Edge States from Antiferromagnetic Chern Homobilayer

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所属单位：物理学院

发表刊物：Nano Letters

第一作者：邹晓蓉

论文编号：1737392874987429889

卷号：24

期号：1

页面范围：450-457

字数：5

是否译文：否

发表时间：2023-12-19

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黄柏标 (教授)