一种内延生长[100]取向TaON自支撑薄膜的制备方法
点击次数:
所属单位:晶体材料研究所
申请专利人:秦晓燕,王泽岩,张晓阳,王朋,刘媛媛,黄柏标
专利类型:发明
申请号:201810146344.1
发明人数:7
是否职务专利:否
申请日期:2018-02-12
公开日期:2019-07-23
授权日期:2019-07-23
公开日期:2019-07-23
申请日期:2018-02-12
授权日期:2019-07-23
一种内延生长[100]取向TaON自支撑薄膜的制备方法
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所属单位:晶体材料研究所
申请专利人:秦晓燕,王泽岩,张晓阳,王朋,刘媛媛,黄柏标
专利类型:发明
申请号:201810146344.1
发明人数:7
是否职务专利:否
申请日期:2018-02-12
公开日期:2019-07-23
授权日期:2019-07-23
公开日期:2019-07-23
申请日期:2018-02-12
授权日期:2019-07-23