一种内延生长[100]取向TaON自支撑薄膜的制备方法
发布时间：2019-04-15 点击数：
专利名称：一种内延生长[100]取向TaON自支撑薄膜的制备方法
所属单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
专利类型：发明
申请号：201810146344.1
发明人数：7
是否职务专利：否
申请日期：2018-02-12
公开日期：2019-07-23
授权日期：2019-07-23
专利名称：一种内延生长[100]取向TaON自支撑薄膜的制备方法
所属单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
专利类型：发明
申请号：201810146344.1
发明人数：7
是否职务专利：否
申请日期：2018-02-12
公开日期：2019-07-23
授权日期：2019-07-23