任华英

教授

Two-step growth method of graphene on silicon carbide for Hall effect sensors: decoupling buffer layer formation from graphene growth

发布时间：2025-05-24

• 所属单位：
  新一代半导体材料研究院
• 论文名称：
  Two-step growth method of graphene on silicon carbide for Hall effect sensors: decoupling buffer layer formation from graphene growth
• 发表刊物：
  中国化学会第一届全国表界面科学会议
• 第一作者：
  姜晓呈
• 论文编号：
  85D2FBA3785F4AC7BA517874DD242EFF
• 字数：
  1
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2025-05
• 发布时间：
  2025-05-24