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贾志泰
教授
所属院部:
晶体材料研究院
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论文成果
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Ga2O3 Field-Effect-Transistor-Based Solar-Blind Photodetector With Fast Response and High Photo-to-Dark Current Ratio
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
IEEE Electron Device Letters
全部作者:
贾志泰,徐明升,辛倩,陶绪堂,宋爱民
第一作者:
刘雅璇
论文类型:
基础研究
论文编号:
66B4D67ADAA14F45A7151DDCA11B3602
卷号:
39
期号:
11
页面范围:
1696
是否译文:
否
发表时间:
2018-11-01
上一条:
High-Performance Ga2O3 Diode Based on Tin Oxide Schottky Contact
下一条:
Temperature Dependence of the Thermal, Electrical Resistivity, Dielectric and Piezoelectric Properties of CaYAl3O7 Crystal
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