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贾志泰
教授
所属院部:
晶体材料研究院
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Ga2O3 Field-Effect-Transistor-Based Solar-Blind Photodetector With Fast Response and High Photo-to-Dark Current Ratio
发布时间:2019-10-24
所属单位:
集成电路学院
论文名称:
Ga2O3 Field-Effect-Transistor-Based Solar-Blind Photodetector With Fast Response and High Photo-to-Dark Current Ratio
发表刊物:
IEEE Electron Device Letters
第一作者:
刘雅璇
全部作者:
徐明升,辛倩,陶绪堂,宋爱民,贾志泰
论文编号:
66B4D67ADAA14F45A7151DDCA11B3602
卷号:
39
期号:
11
页面范围:
1696
字数:
4
是否译文:
否
发表时间:
2018-10
发布时间:
2019-10-24
上一条:
High-Performance Ga2O3 Diode Based on Tin Oxide Schottky Contact
下一条:
Temperature Dependence of the Thermal, Electrical Resistivity, Dielectric and Piezoelectric Properties of CaYAl3O7 Crystal
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