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贾志泰
教授
所属院部：
晶体材料研究院
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High-Performance Ga2O3 Diode Based on Tin Oxide Schottky Contact
发布时间：2019-10-24
所属单位：
集成电路学院
论文名称：
High-Performance Ga2O3 Diode Based on Tin Oxide Schottky Contact
发表刊物：
IEEE Electron Device Letters
第一作者：
杜路路
全部作者：
辛公明,贾志泰,陶绪堂,宋爱民,辛倩,徐明升,穆文祥,王鑫煜
论文编号：
95E46522A7424B49812ABB6DBA13307C
卷号：
40
期号：
3
页面范围：
451
是否译文：
否
发表时间：
2019-03
发布时间：
2019-10-24
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Investigation of Y2.1Er0.9(ScxGa1-x)(5)O-12 Matrix Components on the Spectral Properties around 3.0 mu m by Micro-Pulling-Down Method
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Ga2O3 Field-Effect-Transistor-Based Solar-Blind Photodetector With Fast Response and High Photo-to-Dark Current Ratio
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