登录
|
山东大学
|
English
贾志泰
教授
所属院部：
晶体材料研究院
访问次数：
次
论文成果
返回中文主页
Growth and characterization of the β-Ga2O3 (011) plane without line-shaped defects
所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
CRYSTENGCOMM
第一作者：
陈伯阳
论文编号：
CBDF2C5247024888BA6BB911AD10A4DB
期号：
25
字数：
5
是否译文：
否
发表时间：
2023-02-28
上一条：
Rapid epitaxy of 2-inch and high-quality α-Ga2O3 films by Mist-CVD method
下一条：
Shedding light on intrinsic characteristics and optical properties of novel selenite and tellurite crystals ZrSe2O6, HfSe2O6 and HfTe3O8
版权所有 ©山东大学 地址：中国山东省济南市山大南路27号 邮编：250100
查号台：（86）-0531-88395114
值班电话：（86）-0531-88364731 建设维护：山东大学信息化工作办公室
回到顶部
