登录
|
山东大学
|
English
贾志泰
教授
所属院部：
晶体材料研究院
访问次数：
次
论文成果
返回中文主页
Rapid epitaxy of 2-inch and high-quality α-Ga2O3 films by Mist-CVD method
所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
Journal of Semiconductors
第一作者：
王晓杰
论文编号：
131FF0B9E69B46ADB8D020C55131783B
期号：
44
字数：
7
是否译文：
否
发表时间：
2023-04-03
上一条：
Anisotropic performances and bending stress effects of the flexible solar-blind photodetectors based on β-Ga2O3 (100) surface
下一条：
Growth and characterization of the β-Ga2O3 (011) plane without line-shaped defects
版权所有 ©山东大学 地址：中国山东省济南市山大南路27号 邮编：250100
查号台：（86）-0531-88395114
值班电话：（86）-0531-88364731 建设维护：山东大学信息化工作办公室
回到顶部
