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贾志泰
教授
所属院部:
晶体材料研究院
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论文成果
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Rapid epitaxy of 2-inch and high-quality alpha-Ga2O3 films by mist-CVD method
所属单位:
晶体材料研究院
发表刊物:
Journal of Semiconductors
第一作者:
Wang, Xiaojie
论文编号:
1678970499690606594
卷号:
44
期号:
6
字数:
4000
是否译文:
否
发表时间:
2023-06-01
上一条:
The anisotropy dependence of deformation mechanism of cleavage planes in β-Ga2O3 single crystal
下一条:
A High Responsivity and Photosensitivity Self-Powered UV Photodetector Constructed by the CuZnS/Ga2O3 Heterojunction
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