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贾志泰
教授
所属院部:
晶体材料研究院
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论文成果
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The anisotropy dependence of deformation mechanism of cleavage planes in β-Ga2O3 single crystal
所属单位:
晶体材料研究院
发表刊物:
Materials Science in Semiconductor Processing
第一作者:
Hou, Tong
论文编号:
1622498312654360577
卷号:
158
字数:
5000
是否译文:
否
发表时间:
2023-05-01
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Record size crystal growth and laser performance of Yb-doped lutetium oxide (Yb:Lu2O3) single crystal
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Rapid epitaxy of 2-inch and high-quality alpha-Ga2O3 films by mist-CVD method
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