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山东大学
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贾志泰
教授
所属院部:
晶体材料研究院
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论文成果
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Structures, influences, and formation mechanism of planar defects on (100), (001) and (-201) planes in β-Ga2O3 crystals
所属单位:
晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)
发表刊物:
Physical chemistry chemical physics
第一作者:
李琪
论文编号:
1787752746301284354
卷号:
26
期号:
16
页面范围:
12564-12572
字数:
30
是否译文:
否
发表时间:
2024-04-24
上一条:
Phase-pure ε-Ga2O3 thin films on c-plane sapphire substrates at low temperature by plasma-enhanced ALD: Growth, characterization, and interface analysis
下一条:
Point Defects and Nanogrooves in β-Ga2O3: Formation Mechanisms and Effects on Optoelectronic and Gas-Sensing Applications
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