贾志泰

教授

Phase-pure ε-Ga2O3 thin films on c-plane sapphire substrates at low temperature by plasma-enhanced ALD: Growth, characterization, and interface analysis

• 所属单位：
  晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
• 发表刊物：
  VACUUM
• 第一作者：
  张金腾
• 论文编号：
  1878997081894821889
• 卷号：
  233
• 字数：
  30
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2025-03-01