一种垂直结构宽带近红外LED及制备方法
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Title:一种垂直结构宽带近红外LED及制备方法
Institution:晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
Type of Patent:Invent
Application Number:202010601278.X
Number of Inventors:4
Service Invention or Not:No
Publication Date:2021-11-12
Authorization Date:2021-11-12
Release Time:2021-11-17