基于离子注入技术修饰的全单晶光纤、制备方法及其数值孔径调控和应用
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Title:基于离子注入技术修饰的全单晶光纤、制备方法及其数值孔径调控和应用
Institution:晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
Type of Patent:Invent
Application Number:202011207882.0
Number of Inventors:3
Service Invention or Not:No
Publication Date:2022-02-11
Authorization Date:2022-02-11
Release Time:2022-02-17