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半导体材料/器件的光电特性研究
半导体材料/器件的光电特性研究，包括半导体块材料、薄膜、量子点、量子阱及超晶格等。现主要从事宽禁带GaN基多量子阱结构LED/LD的光电特性研究，如InGaN/GaN多量子阱基红/绿/蓝光LED/LD以及无荧光粉白光LED；(Al)GaN/AlGaN多量子阱基浅紫外/深紫外光LED/LD。通过多种光/电学测试和结构质量表征，以其探索出制备高光效、高性能GaN基多量子阱LED/LD的结构参数和生长工艺。
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