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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
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Porosity-induced relaxation of strains at different depth of nanoporous GaN stuided using the Z-scan of Raman spectroscopy
所属单位:
物理学院
发表刊物:
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
全部作者:
冀子武,马瑾
第一作者:
肖洪地
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-167315
卷号:
626
页面范围:
154
是否译文:
否
发表时间:
2015-01-01
上一条:
Combined effect of the indium content and well width on electroluminescence in InGaN/GaN multiple quantum well-based LEDs
下一条:
Light transmission enhancement from hybrid ZnO micro-mesh & nanorod arrays with application to GaN-based light-emitting diodes
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