Combined effect of the indium content and well width on electroluminescence in InGaN/GaN multiple quantum well-based LEDs
发布时间：2019-04-14
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- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- Materials Express
- 全部作者：
- 徐明升,冀子武,徐现刚
- 第一作者：
- 吕海燕
- 论文类型：
- 基础研究
- 论文编号：
- 61227A255151427C857D6993F9156680
- 卷号：
- 7
- 期号：
- 6
- 页面范围：
- 523
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2017-12-01