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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
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Combined effect of the indium content and well width on electroluminescence in InGaN/GaN multiple quantum well-based LEDs
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Materials Express
全部作者:
徐明升,冀子武,徐现刚
第一作者:
吕海燕
论文类型:
基础研究
论文编号:
61227A255151427C857D6993F9156680
卷号:
7
期号:
6
页面范围:
523
是否译文:
否
发表时间:
2017-12-01
上一条:
Morphology and growth mechanism of gallium nitride nanotowers synthesized by metal-organic chemical vapor deposition
下一条:
Porosity-induced relaxation of strains at different depth of nanoporous GaN stuided using the Z-scan of Raman spectroscopy
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