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Electroluminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well-based LEDs with different indium contents and different well widths

发布时间:2021-06-02
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
Scientific Reports
第一作者:
冀子武
论文编号:
9686BC38A65244CE9952773948B3117C
期号:
7
字数:
5
是否译文:
发表时间:
2017-12-10