冀子武

Porosity-induced relaxation of strains at different depth of nanoporous GaN stuided using the Z-scan of Raman spectroscopy

• 所属单位：
  微电子学院
• 发表刊物：
  scientific reports
• 第一作者：
  冀子武
• 论文类型：
  基础研究
• 论文编号：
  9686BC38A65244CE9952773948B3117C
• 期号：
  7
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2017-12-10