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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
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Influence of excitation power and temperature on photoluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Superlattices and Microstructures
第一作者:
冀子武
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-173257
是否译文:
否
发表时间:
2015-09-25
上一条:
Effects of substrate temperature upon optical properties of ZnTe epilayers grown on (100) GaAs substrates by MOVPE
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