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Influences of excitation power and temperature on photoluminescence in phase-separated InGaN quantum wells

发布时间:2019-11-07
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Chinese Physics B
全部作者:
郑雨军,冀子武
第一作者:
郑雨军
论文编号:
09F9610F70DF40B5ADEAEA42C9DEB595
字数:
4
是否译文:
发表时间:
2015-02-28