冀子武

Enhanced localisation effect and reduced quantum-confined Stark effect of carriers in InGaN/GaN multiple quantum wells embedded in nanopillars

• 所属单位：
  物理学院
• 发表刊物：
  Chinese Physics B
• 全部作者：
  郑雨军,冀子武
• 第一作者：
  郑雨军
• 论文类型：
  基础研究
• 论文编号：
  09F9610F70DF40B5ADEAEA42C9DEB595
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2015-02-28