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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
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Transfer and recombination mechanism of carriers in phase-separated InGaN quantum wells
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Journal of applied physics
全部作者:
肖洪地
第一作者:
冀子武
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-147132
卷号:
114
页面范围:
093508-1
是否译文:
否
发表时间:
2013-09-05
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Investigation of the inhibiting outdiffusion of erbium atoms to a silicon-on-insulator surface after annealing at high temperature
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Effect of reactor pressure upon photoluminescence properties of ZnTe homoepitaxial layer
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