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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
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Porosity-induced relaxation of strains at different depth of nanoporous GaN stuided using the Z-scan of Raman spectroscopy
所属单位:
物理学院
发表刊物:
OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS – RAPID COMMUNICATIONS
全部作者:
冀子武,徐现刚
第一作者:
冀子武
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-147129
卷号:
7
页面范围:
730
是否译文:
否
发表时间:
2013-09-18
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Social distancing in Latin America during the COVID-19 pandemic: an analysis using the Stringency Index and Google Community Mobility Reports.
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Influences of excitation power and temperature on photoluminescence in phase-separated InGaN quantum wells
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