Influence of the InGaN/GaN quasi-superlattice underlying layer on photoluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells
发布时间：2019-06-12
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- 所属单位：
- 物理学院
- 发表刊物：
- Physica E
- 第一作者：
- 冀子武
- 论文类型：
- 基础研究
- 论文编号：
- lw-173428
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2016-01-08