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Influence of excitation power on temperature-dependent photoluminescence of phase-separated InGaN quantum wells

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
CHINESE OPTICS LETTERS
全部作者:
冀子武
第一作者:
冀子武
论文编号:
lw-184016
是否译文:
发表时间:
2016-03-18