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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
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Influence of injection current and temperature on electroluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Physica E
全部作者:
肖洪地,徐现刚
第一作者:
冀子武
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-164918
是否译文:
否
发表时间:
2013-12-30
上一条:
Morphology and growth mechanism of gallium nitride nanotowers synthesized by metal-organic chemical vapor deposition
下一条:
Photoluminescence characteristics of ZnTe bulk crystal and ZnTe epilayer grown on GaAs substrate by MOVPE
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