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论文成果
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Photoluminescence of Nanoporous GaN Films Prepared by Electrochemical Etching
发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
CHIN. PHYS. LETT.
全部作者:
冀子武,肖洪地,徐现刚
第一作者:
冀子武
论文编号:
lw-164914
字数:
2100
是否译文:
否
发表时间:
2014-04-02
上一条:
关于 InGaN/GaN 多量子阱结构内量子效率的研究
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Influence of injection current and temperature on electroluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells