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Investigation of the inhibiting outdiffusion of erbium atoms to a silicon-on-insulator surface after annealing at high temperature

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Chinese Physics B
全部作者:
冀子武
第一作者:
冀子武
论文编号:
lw-141365
是否译文:
发表时间:
2012-01-01