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The Mean Projected Range and Range Straggling of Er Ions Implanted in 6h Silicon Carbide
发布时间：2019-06-12
点击次数：
所属单位：
物理学院
发表刊物：
Adv. Mater. Res.
第一作者：
冀子武
论文类型：
基础研究
论文编号：
lw-141354
是否译文：
否
发表时间：
2012-01-01
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Influence of excitation power and temperature on photoluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells
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Investigation of the inhibiting outdiffusion of erbium atoms to a silicon-on-insulator surface after annealing at high temperature
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