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论文成果
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关于 InGaN/GaN 多量子阱结构内量子效率的研究
发布时间：2019-10-24
点击次数：
所属单位：
物理学院
发表刊物：
物 理 学 报
全部作者：
冀子武,徐现刚
第一作者：
冀子武
论文编号：
lw-164917
字数：
5200
是否译文：
否
发表时间：
2014-05-09
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Internal quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well
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Photoluminescence of Nanoporous GaN Films Prepared by Electrochemical Etching
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