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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
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Influences of excitation power and temperature on photoluminescence in phase-separated InGaN quantum wells
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Materials Express
全部作者:
冀子武,徐现刚
第一作者:
冀子武
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-186307
是否译文:
否
发表时间:
2016-12-01
上一条:
Enhanced localisation effect and reduced quantum-confined Stark effect of carriers in InGaN/GaN multiple quantum wells embedded in nanopillars
下一条:
Intrinsic relationship between photoluminescence and electrical characteristics in modulation Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs
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