Intrinsic relationship between photoluminescence and electrical characteristics in modulation Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs
发布时间：2019-10-24
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Chinese Physics B
- 全部作者：
- 冀子武,庞智勇,徐现刚,徐明升
- 第一作者：
- 李建飞
- 论文编号：
- FBAE55DC638C40368E7DB14C6AF53255
- 卷号：
- 26
- 期号：
- 9
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2017-09-01