Formation of a highly Erbium doped silicon-on-insulator layer by introducing SiOx on or into a silicon surface
发布时间：2019-10-24
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- 所属单位：
- 物理学院
- 发表刊物：
- Nucl. Instrum. Meth. B
- 全部作者：
- 冀子武
- 第一作者：
- 冀子武
- 论文编号：
- lw-141361
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2012-02-13