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Influence of excitation power and temperature on photoluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Optics Express
全部作者:
冀子武
第一作者:
冀子武
论文编号:
lw-133533
卷号:
20
期号:
4
页面范围:
3932
是否译文:
发表时间:
2012-02-01