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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
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Porosity-induced relaxation of strains at different depth of nanoporous GaN stuided using the Z-scan of Raman spectroscopy
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Optics Express
全部作者:
徐明升,冀子武,徐现刚
第一作者:
李建飞
论文类型:
基础研究
论文编号:
2C666BC2C7204DE7AE14B3D1EBBDCD2F
卷号:
25
期号:
20
是否译文:
否
发表时间:
2017-10-02
上一条:
Influence of injection current and temperature on electroluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells
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