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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
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Annealing effect and photoluminescence properties in Tm+-implanted ZnO crystal
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Materials Express
第一作者:
时凯居
论文编号:
3C0A049F1C3C42C09B1385709159A219
卷号:
11
期号:
12
页面范围:
2033
字数:
4100
是否译文:
否
发表时间:
2021-12-01
上一条:
Structure, band gap, and Mn-related mid-gap states in epitaxial single crystal (Zn1-xMgx)(1-y)MnyO thin films
下一条:
Scenarios of polaron-involved molecular adsorption on reduced TiO2(110) surfaces
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