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Influence of in volatilization on photoluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells

发布时间:2022-05-24
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Materials Express
第一作者:
时凯居
论文编号:
3C0A049F1C3C42C09B1385709159A219
卷号:
11
期号:
12
页面范围:
2033
字数:
4100
是否译文:
发表时间:
2021-12-01