冀子武

Porosity-induced relaxation of strains at different depth of nanoporous GaN stuided using the Z-scan of Raman spectroscopy

• 所属单位：
  微电子学院
• 发表刊物：
  Chin. Phys. B
• 第一作者：
  屈尚达
• 论文编号：
  333F81675FA34B79AE8DCAAE2CC9909C
• 期号：
  5
• 字数：
  4555
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2022-02-01