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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
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Fabrication and photoluminescence of strong phase-separated InGaN based nanopillar LEDs
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Chin. Phys. B
第一作者:
李睿
论文编号:
33D1F97853C944DEA5FA257A4D20BB96
卷号:
30
期号:
4
字数:
4000
是否译文:
否
发表时间:
2021-04-01
上一条:
Influence of injection current and temperature on electroluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells
下一条:
Intrinsic relationship between photoluminescence and electrical characteristics in modulation Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs
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