Combined effects of carrier scattering and Coulomb screening on photoluminescence in InGaN/GaN quantum well structure with high In content*
发布时间：2022-05-24
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- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- Chin. Phys. B
- 第一作者：
- 李睿
- 论文编号：
- 33D1F97853C944DEA5FA257A4D20BB96
- 卷号：
- 30
- 期号：
- 4
- 字数：
- 4000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2021-04-01