N型掺杂ZnSe/BeTeⅡ型量子阱中空间间接带电激子跃迁发光的直接证据
发布时间：2022-05-26
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- 人 工 晶 体 学 报
- 第一作者：
- 冀子武
- 论文编号：
- 6C6736AF8A4344BA9803EB6D986F4FA1
- 期号：
- 2
- 字数：
- 4900
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2021-02-15
- 上一条：Combined effects of carrier scattering and Coulomb screening on photoluminescence in InGaN/GaN quantum well structure with high In content*
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