Effect of InGaN well layer growth rate upon photoluminescence of InGaN/GaN multiple-quantum-well structures
发布时间：2022-05-26
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- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- Superlattices Microstruct
- 第一作者：
- 冀子武
- 论文编号：
- BA326152AA4D486A8568882C2CB086D6
- 期号：
- 2
- 字数：
- 4850
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2022-03-28