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荧光法测定半导体禁带宽度的探讨
发布时间：2022-05-26
点击次数：
所属单位：
微电子学院
发表刊物：
物 理 学 报
第一作者：
冀子武
论文编号：
8AFEF9885B404610BE9AA79E4372FECF
期号：
6
字数：
5200
是否译文：
否
发表时间：
2022-03-20
上一条：
Effect of InGaN well layer growth rate upon photoluminescence of InGaN/GaN multiple-quantum-well structures
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Effect of low-temperature interlayer in active-region upon photoluminescence in multiple-quantum-well InGaN/GaN
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