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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
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Diameter-dependent photoluminescence properties of strong phase-separated dual-wavelength InGaN/GaN nanopillar LEDs
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Optics Express
关键字:
III-V semiconductors;Light emitting diodes;Quantum theory;Semiconductor quantum wells;Silicon;Substrates;Temperature distribution
第一作者:
李建飞
论文编号:
1395248383244898305
卷号:
25
期号:
20
页面范围:
A871-A879
字数:
5000
是否译文:
否
发表时间:
2017-10-02
上一条:
Fabrication of Non-Stoichiometric Titanium Dioxide by Spark Plasma Sintering and Its Thermoelectric Properties
下一条:
Light transmission enhancement from hybrid ZnO micro-mesh & nanorod arrays with application to GaN-based light-emitting diodes
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