所属单位：

微电子学院

发表刊物：

CHINESE OPTICS LETTERS

关键字：

InGaN;Corrigendum-influence of excitation power on temperature-dependent photoluminescence of phase-separated InGaN quantum wells

第一作者：

Lü, Haiyan

论文编号：

1395294347070541825

卷号：

14

期号：

8

页面范围：

106

字数：

4000

是否译文：

否

发表时间：

2016-08-10