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Temperature dependent current–voltage curves study of GaN-based blue light-emitting diode
发布时间：2019-10-24
点击次数：
所属单位：
集成电路学院
发表刊物：
MATER EXPRESS
全部作者：
冀子武
第一作者：
冀子武
论文编号：
lw-185933
是否译文：
否
发表时间：
2016-04-01
上一条：
Corrigendum-influence of excitation power on temperature-dependent photoluminescence of phase-separated InGaN quantum wells
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Influence of excitation power on temperature-dependent photoluminescence of phase-separated InGaN quantum wells
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