Inffuence of interface structure in the active region on photoluminescence in InGaN/GaN quantum wells
发布时间：2024-03-21
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Micro and Nanostructures
- 第一作者：
- 时凯居
- 论文编号：
- 065D97D1198B48C48153BC212A4A0D67
- 期号：
- 1
- 字数：
- 4000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2023-03-02