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深紫外 AlGaN 基多量子阱结构中 载流子辐射复合的局域特征
发布时间:2024-01-09
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
发光学报
论文编号:
6027F3417C914CF0B0C236BEDCCE304F
卷号:
44
期号:
第 11 期
页面范围:
1974
字数:
5354
是否译文:
否
发表时间:
2023-11-06
上一条:
Research On Etching of Distributed Bragg Reflector
下一条:
Inffuence of interface structure in the active region on photoluminescence in InGaN/GaN quantum wells