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Electron tunneling effects on radiative recombination in modulation n-doped ZnSe/BeTe type-II quantum wells
发布时间：2024-09-15
点击次数：
发表刊物：
Chin. Phys. B
卷号：
19
页面范围：
117303
是否译文：
否
发表时间：
2010-09-01
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Electron tunneling effects on radiative recombination in modulation n-doped ZnSe/BeTe type-II quantum wells
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Interface structure effects on optical property of undoped ZnSe/BeTe type-ΙΙ quantum wells
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