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Interface structure effects on optical property of undoped ZnSe/BeTe type-ΙΙ quantum wells
发布时间:2024-09-15
点击次数:
发表刊物:
Acta. Phys. Sin-Ch. Ed
卷号:
59
页面范围:
7986
是否译文:
否
发表时间:
2010-07-01
上一条:
Electron tunneling effects on radiative recombination in modulation n-doped ZnSe/BeTe type-II quantum wells
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Statistical properties of single molecule under stochastic gating