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关于InGaN/GaN多量子阱结构内量子效率的研究

发布时间:2024-10-19
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
ACTA PHYSICA SINICA
关键字:
INGAN/GAN;发光效率;荧光峰位能量;内量子效率
第一作者:
王雪松
论文编号:
1394939413712080898
期号:
12
页面范围:
343-349
字数:
5400
是否译文:
发表时间:
2014-01-01