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林兆军
性别:男
在职信息:在职

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在职信息:在职 所在单位:微电子学院 入职时间:2003-12-08

Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

点击次数: 所属单位:物理学院 发表刊物:Journal of applied physics 全部作者:孟令国 第一作者:林兆军 论文类型:基础研究 论文编号:lw-137932 卷号:112 页面范围:054513 是否译文: 发表时间:2012-09-14