Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
点击次数：
所属单位：物理学院
发表刊物：Journal of applied physics
全部作者：孟令国
第一作者：林兆军
论文类型：基础研究
论文编号：lw-137932
卷号：112
页面范围：054513
是否译文：否
发表时间：2012-09-14
上一条：Influence of the ratio of gate length to drain-to-source distance on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
下一条：A simple method of extracting the polarization charge density in the AlGaN/GaN heterostructure from current-voltage and capacitance-voltage characteristics