论文成果

返回中文主页

Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

发布时间:2019-04-13
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Journal of applied physics
全部作者:
孟令国
第一作者:
林兆军
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-137932
卷号:
112
页面范围:
054513
是否译文:
发表时间:
2012-09-14